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Si1022R
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS(min.) (V) R DS(on) ( ? )
V GS(th) (V)
I D (mA)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
60
1.25 at V GS = 10 V
1 to 2.5
330
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Low On-Resistance: 1.25 ?
? Low Threshold: 2.5 V
? Low Input Capacitance: 30 pF
? Fast Switching Speed: 25 ns
? Low Input and Output Leakage
SC-75A
(SOT-416)
? Miniature Package
? ESD Protected: 2000 V
G
1
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
3
D
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories, Transistors, etc.
S
2
Markin g Code: E
? Battery Operated Systems
? Solid State Relays
Orderin g Information: Si1022R-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
BENEFITS
?
?
?
?
?
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Low Error Voltage
Small Board Area
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwi se noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current a
Pulsed Drain Current a
Power Dissipation a
Thermal Resistance, Maximum Junction-to-Ambient a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 85 °C
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
P D
R thJA
T J , T stg
330
240
650
250
130
500
- 55 to 150
mA
mW
°C/W
°C
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board, power applied for t ? 10 s.
Document Number: 71331
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
www.vishay.com
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